MOS管電路是現(xiàn)代電子電路中常見(jiàn)的一種電路，其特點(diǎn)是功耗低、速度快、抗干擾能力強(qiáng)等。它廣泛應(yīng)用于數(shù)字電子、模擬電子和混合電子電路。

　　一、MOS管電路的工作原理

　　MOS管電路由柵源漏三個(gè)電極組成，柵極上加上一定的電壓，則形成柵源極間的電場(chǎng)，使得物質(zhì)電子在柵源區(qū)中富集，從而形成富集層，柵結(jié)電容形成的電荷將控制源漏區(qū)的導(dǎo)通能力，從而實(shí)現(xiàn)柵控型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電氣特性。

　　MOS管電路有兩種工作模式，分別是開(kāi)關(guān)模式和放大模式。開(kāi)關(guān)模式是指MOS管在其特定區(qū)間的控制下，源漏間存在三種狀態(tài)：截止?fàn)顟B(tài)、飽和狀態(tài)和線(xiàn)性區(qū)狀態(tài)。在不同的狀態(tài)下，MOS管的模擬電流、模擬電壓等參數(shù)不同。放大模式則是利用MOS管的放大功能，將輸入信號(hào)放大到輸出端。

　　二、MOS管電路的分類(lèi)

　　1、nMOS和pMOS

　　根據(jù)MOS管的摻雜方式，MOS管電路可以分為nMOS和pMOS兩種類(lèi)型。nMOS管是將硅襯底摻雜磷或砷，形成n型基區(qū)，再在基區(qū)上形成絕緣層和柵極，與p型漏區(qū)構(gòu)成的結(jié)形成的;pMOS管則是將硅襯底摻雜硼或鋁，形成p型基區(qū)，再在基區(qū)上形成絕緣層和柵極，與n型漏區(qū)構(gòu)成的結(jié)形成的。nMOS和pMOS在工作原理上是對(duì)稱(chēng)的。

　　2、CMOS

　　CMOS電路是一種由nMOS和pMOS組成的互補(bǔ)型MOS管電路，具有功耗低、速度快、工作控制靈活等優(yōu)點(diǎn)，是數(shù)字電路和系統(tǒng)-on-chip的首選方案之一。

　　3、MOS多管

　　MOS多管電路是利用MOS管的高阻值和低噪聲特性設(shè)計(jì)的一種電路，用于低噪聲前置放大器、射頻前端放大器等方面。

　　三、MOS管電路的應(yīng)用

　　1、數(shù)字電路

　　MOS管電路在數(shù)字電路方面的應(yīng)用最為廣泛，例如，計(jì)數(shù)器、電子時(shí)鐘、數(shù)碼顯示等。

　　2、模擬電路

　　MOS管電路在模擬電路方面的應(yīng)用主要體現(xiàn)在放大器、濾波器、振蕩器等方面。利用MOS管電路的高壓分離特性，可設(shè)計(jì)出低噪聲前置放大器、射頻前端放大器等。

　　3、混合電路

　　利用CMOS技術(shù)，可以設(shè)計(jì)出數(shù)字模擬混合電路，例如，聲音/照片同時(shí)變換數(shù)字式轉(zhuǎn)換器(DAC)、模擬式變換數(shù)字式轉(zhuǎn)換器(ADC)等。

　　總之，MOS管電路是現(xiàn)代電子電路中不可或缺的組成部分，在數(shù)字電子、模擬電子和混合電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。